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10月7日新闻,据长沙晚报报道,总投资160亿元的长沙三安第三代半导体项目国庆长假时代未歇工,其中为主厂房提供动力的主要辅助修建——C2综合动力站日前已率先完成封顶。同时,项目最大单体修建M2B碳化硅芯片生产厂房周全进入主体施工收尾阶段。



施工现场,项目工地内多个修建主体已初现雏形,工人们正穿着雨衣举行施工作业,或搭设脚手架,或绑钢筋、支模板,现场“抓进度 保质量 确保三安明年6月试产”的口号格外显眼,工人叮叮当当的敲打声、机械设备作业的轰鸣声回荡在工地上。

中建五局三公司三安项目负责人周祥先容,C2综合动力站修建面积约1万平方米,是厂区的“心脏”,主要包罗热水系统、冷却水系统、压缩空气系统、发电系统等。“除了动力站封顶,项目最大单体修建M2B碳化硅芯片生产厂房周全进入主体施工收尾阶段。”周祥说,依附过硬的专业技术,项目部克日顺利完成了M2B碳化硅芯片生产厂房华夫板浇筑,这也是厂房最难的施工部门。据悉,M2B碳化硅芯片厂房是该项目一标段30个单体中修建面积最大、清洁品级要求最高的厂房。


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今年6月16日晚间,三安光电发布通告称,设计以现金投资160亿元,在湖南省长沙高新技术产业开发区治理委员会园区建立子公司投资建设第三代半导体产业园项目。


据通告先容,该项目包罗但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目,包罗长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链,投资总额160亿元。


6月15日,三安光电已与长沙高新技术产业开发区治理委员会签署《项目投资建设条约》。凭据设计,三安光电将在用地各项手续和相关条件完好后24个月内完成一期项目建设并实现投产,48个月内完成二期项目建设和固定资产投资并实现投产,72个月内实现达产。


对于详细开发建设的产物,三安光电方面示意,主要研发、生产及销售6吋SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiCMOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiCMOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET等。对于此次投资,三安光电方面以为:“第三代半导体产业园项目有着广漠的市场需求,现处于发展阶段。本次投资项目相符国家产业政策计划,相符公司产业发展方向和发展战略,有利于提升公司行业职位及焦点竞争力。”

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